重大突破！清洗设备龙头挺进18/19纳米技术节点

2025/2/27 19:38:26 挖贝网周路遥

日前，国内半导体清洗设备龙头盛美上海（中国市场市占率为23%，内资企业排名第一）发布了2024年年报。在年报中，公司表示，其半导体清洗设备已经挺进18/19纳米技术节点。

具体来说，盛美上海的SAPS技术目前已应用于逻辑28nm技术节点及 DRAM 19nm技术节点，并可拓展至逻辑芯片 28nm、DRAM 18/19nm技术节点、32/64层3D NAND工艺、高深宽比的功率器件及TSV深孔清洗应用，在DRAM上有70多步应用，而在逻辑电路 FinFET结构清洗中有近20步应用。

盛美上海的TEBO技术主要针对45nm及以下图形晶圆的无损伤清洗，目前已应用于逻辑芯片28nm技术节点，已进行18-19nm DRAM工艺图形晶圆的清洗工艺评估，并可拓展至 28nm逻辑芯片及nm级3D结构、高深宽比DRAM产品及多层堆叠3D NAND等产品中，在DRAM上有 70多步应用，而在逻辑电路FinFET结构清洗中有10 多步应用。

据了解，SAPS技术和TEBO技术是当前半导体清洗设备领域应用的两项主要技术，其中：

SAPS兆声波清洗技术：针对传统兆声波清洗工艺中兆声波能量无法均匀控制的问题，盛美上海开发了SAPS兆声波清洗技术。兆声波的工艺频率范围为1-3MHz，最大功率可达3W/cm2。SAPS兆声波清洗技术通过控制工艺过程中兆声波发生器和晶圆之间的相对运动，使得晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，不受晶圆翘曲的影响，并确保晶圆上每点所承受的能量在安全范围内。实验证明，SAPS兆声波清洗技术可控制晶圆表面的能量非均匀度在2%以内，实现了兆声波能量的安全可控。

TEBO兆声波清洗技术：随着芯片技术节点进一步缩小，以及深宽比进一步增大，图形晶圆清洗的难度变大。当芯片制造技术进一步延伸至20nm以下，以及图形结构向多层3D发展后，传统兆声波清洗难以控制气泡进行稳态空化效应，造成气泡破裂，从而产生高能微射流对晶圆表面图形结构造成损伤。

盛美上海自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下工艺图形晶圆的清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3D NAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。

盛美上海清洗设备龙头