中微公司官宣!刻蚀速度已可以精准到0.1到0.2纳米 刻蚀设备全球出货超5000台
日前,中微公司官宣了其在市场、技术等领域的最新进展!
市场方面,中微公司表示,公司等离子体刻蚀设备反应总台数全球累计出货超过5000台。这包括CCP高能等离子体刻蚀机和ICP低能等离子体刻蚀机、单反应台反应器和双反应台反应器共四种构型的设备。
技术方面,中微公司强调,公司CCP和ICP的双台机,刻蚀速度已可以精准到0.1到0.2纳米水平,相当于头发丝直径约三十万分之一。要知道,一个硅原子的半径约为0.11纳米。
以下是详细情况:
市场占有率:累计已销售超5400个反应台
据了解,刻蚀机主要有两种,分别是CCP高能等离子体刻蚀机和ICP低能等离子体刻蚀机。目前,无论是CCP设备还是ICP设备,中微公司的市场份额都在快速增长。
中微公司表示,公司的CCP高能等离子刻蚀设备和ICP低能等离子体刻蚀设备的出货量近年来都保持高速增长。CCP设备在线累计装机量近四年年均增长大于37%,已突破4000个反应台;ICP设备在线累计装机量近四年年均增长大于100%,已突破1000个反应台。
截至2025年2月底,中微公司累计已有超过5400个反应台在国内外130多条生产线,全面实现了量产和大规模重复性销售,赢得了众多客户和供应厂商的信任和支持。
技术水平:刻蚀速度已可以精准到0.1到0.2纳米
中微公司表示,公司的刻蚀设备在过去的20年积累了大量的芯片生产线量产数据和客户验证数据,已经可以覆盖绝大多数的刻蚀应用,包括各种高端的应用。特别是CCP和ICP的双台机,反复论证了双反应台之间刻蚀的线宽差别,1Sigma已达到0.5纳米以下,刻蚀速度已可以精准到0.1到0.2纳米水平,相当于头发丝直径约三十万分之一。
中微公司还强调,公司的刻蚀机已在5纳米及更先进的微观器件生产线上大量应用。
资料显示,一个硅原子的半径约为110pm(pm,长度单位,1pm等于0.001纳米),即0.11纳米。以精准到0.1到0.2纳米水平,意味着中微公司的设备已经能实现原子级的操作。
研发速度翻倍:只需两年或更短时间就能开发出新设备
中微公司强调,公司研发新产品的速度显著加快,过去通常需要三到五年开发一款新设备,现在只需两年或更短时间就能开发出有竞争力的新设备,并顺利进入市场。
具体来看,近年来中微公司为先进存储器件和逻辑器件开发的六种LPCVD薄膜设备已经顺利进入市场。其中,在进入市场后只一年,存储器生产线所用的LPCVD设备出货量已突破100多个反应台,2024年得到约4.76亿元批量订单。
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