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鲁汶仪器科创板IPO:离子束国内第一,ICP刻蚀量产,以持续科技创新打造半导体前道设备国产核心力量

2026/8/24 11:57:49      挖贝网 李辉

6月30日,江苏鲁汶仪器股份有限公司(以下简称,鲁汶仪器)的科创板IPO获受理,保荐机构为中信证券。


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半导体设备是电子信息产业的根基与核心,属于国家战略性、基础性、先导性产业。行业技术壁垒极高,全球市场长期被海外巨头主导,在前道工艺领域,光刻、刻蚀、薄膜沉积三大高价值核心设备市场资源高度集中于海外企业,形成稳固的寡头垄断格局。近年来,全球供应链不确定性持续加剧,半导体设备自主可控与国产替代的战略意义愈发凸显。国家陆续出台多项产业扶持政策,从资金补贴、税收优惠、首台套示范应用等多维度为行业发展保驾护航。在政策持续加持与本土企业持续研发攻坚的双重驱动下,国内半导体设备产业快速成长,刻蚀、薄膜沉积等核心赛道技术突破成效显著,国产设备加速导入国内晶圆制造产线,成为国内集成电路产业自主可控进程中的核心突破口。

在国产替代加速落地的行业浪潮中,一批技术积淀深厚、研发攻坚能力突出的本土半导体设备企业顺势崛起、脱颖而出。国内设备厂商凭借持续高强度的研发投入、贴合国内晶圆厂制程迭代需求的定制化产品方案以及高效稳定的本土化交付服务能力,逐步打破海外企业长期垄断格局,多款核心设备完成技术验证并实现批量导入国内成熟及先进制程产线,行业发展逐步从单点技术突破迈向多品类、成套化规模替代,成为推动国内半导体设备产业升级、产业链自主可控的核心中坚力量,鲁汶仪器便是其中极具代表性的优质本土企业。


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招股书显示,鲁汶仪器长期专注于半导体前道设备的研发、生产与销售,聚焦为集成电路制造产业提供高端装备与配套工艺解决方案。公司秉持差异化发展策略,以自研独有技术为依托,构建了以离子束设备和电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备为核心,化学气相沉积设备和气相分解金属沾污收集设备为辅助的多品类、矩阵化产品体系,产品广泛应用于先进工艺的逻辑和存储晶圆厂以及特色工艺的功率晶圆厂和光学显示厂,适配多场景、多制程的下游客户需求。

公司深耕离子束工艺与等离子体刻蚀两大核心技术领域,通过创造性的结合两种工艺,自主研发出第一代新兴存储器工艺设备(LMEC-200),解决了以磁阻随机存储器(MRAM)为代表的新兴存储器件量产塑形工艺难题。2018年,公司凭借过硬的产品实力,在与国际主流厂商的竞争中成功斩获中国台湾工研院订单,实现核心产品市场化突破。此后,公司基于新兴存储器工艺设备的不同工艺腔室衍生出离子束设备、ICP刻蚀设备、CVD设备等不同独立产品线。此外,公司也自研VPD设备并实现量产产品矩阵持续完善,市场适配能力稳步提升。

离子束设备领域,鲁汶仪器是国内代表性龙头企业,也是全球为数不多、国内率先实现12英寸离子束设备量产应用的企业,相关产品可用于晶圆图案塑形、晶圆表面超平坦化等先进制程工艺,也可用于新兴存储器以及AR/VR眼镜的精密光栅等特色工艺,公司在前述不同工艺应用均有布局,相关产品已经陆续切入国内头部客户。晶圆图案塑形工艺属于全球半导体前沿领先技术,该工艺可以在减少光刻工艺道次的同时提升图案精度和生产良率,有望助力国内晶圆厂在无法获得高端光刻设备的条件下以更低成本、更高良率实现先进逻辑和存储芯片的制造,公司相关设备正在多家先进逻辑或存储工艺客户进行先进技术代验证。根据弗若斯特沙利文统计数据,2025年公司在中国离子束设备市场占有率达28.4%,位居行业第一,国内市场其余主要份额均由境外厂商占据,公司本土龙头优势显著。


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ICP刻蚀设备领域,鲁汶仪器是国内少有的已在国内主流12英寸晶圆厂客户量产的本土厂商,与国内友商一道,共同助力ICP刻蚀设备在先进制程上的持续突破。公司具备根据下游客户不同关键工艺需求迅速开发、验证和量产ICP刻蚀设备的能力,在特定道次已实现客户验证通过及销售复购,尤其是针对存储芯片堆叠层数不断提升的特点,公司开发的高深宽比刻蚀设备已量产供应国内主流存储厂。在该领域,鲁汶仪器秉持差异化发展战略,技术和产品的布局主要集中在相应市场竞争格局好、技术应用较为前沿的产品,主要与国际厂商竞争。对于产品应用相对成熟、市场空间大、市场竞争相对激烈的产品,专注特色工艺和增量市场规避同质化低价竞争,持续巩固细分赛道优势地位。


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在其他配套设备领域,鲁汶仪器CVD设备主要应用于碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体以及光电子器件等特色工艺赛道,贴合第三代半导体产业发展趋势。同时,公司是国内实现VPD设备量产的头部企业,产品主要配套国内主流晶圆厂,市场竞争以对标国际厂商为主。根据江苏省机械行业协会出具的新产品鉴定证书,公司12 英寸 VPD 产品填补国内空白,整体技术处于国内领先水平板。


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长期深耕半导体前道设备赛道,鲁汶仪器积累了深厚的技术底蕴,构建起涵盖晶圆图案塑形、晶圆表面超平坦化、掩膜版刻蚀、中高温含钨/钼材料层刻蚀、特种金属膜层铣削、大尺寸低损伤高均一性离子源、气相金属沾污收集等多项核心技术的完善技术体系,形成了坚实的技术壁垒。截至招股书披露日,公司及下属子公司累计取得境内外授权专利407项,其中境内发明专利124项、境外发明专利149项,发明专利合计273项,自主研发能力与技术创新实力行业突出,为产品持续迭代、市场持续拓展提供了核心支撑。

当前国内半导体设备行业迎来多重利好共振,行业成长逻辑清晰明确:国产替代持续深化推动本土厂商市场份额稳步提升,全球及国内晶圆厂持续扩产带动设备刚性需求扩容,AI产业高速发展驱动算力芯片迭代升级,打开行业长期资本开支与成长空间。在行业高速发展的背景下,鲁汶仪器依托完善的前道设备产品布局与深厚的技术积累,既能精准匹配下游客户工艺升级、产能扩张的核心需求,助力客户把控生产精度与产品良率,也能持续将技术优势转化为市场优势与经营成果。

目前,鲁汶仪器产品已覆盖多家行业知名企业及科研机构客户,核心产品成功应用于先进逻辑、存储芯片的前沿制程工艺,积累了优质稳定的客户资源,构建了较高的客户壁垒与良好的品牌口碑。经营业绩层面,公司成长势能强劲,2023年至2025年营业收入分别为2.07亿元、2.68亿元、6.99亿元,三年营业收入复合增长率达83.80%,营收规模高速增长,展现出强劲的产业化落地能力与市场拓展能力。

招股书显示,鲁汶仪器本次募集资金用于鲁汶仪器研发总部和制造基地项目,以及集成电路装备研发项目,拟分别于上海临港和江苏邳州实施,有助于公司积极融入上海——中国集成电路重镇,吸引更多产业界的研发和生产型人才,也有助于公司提升生产产能和研发投入,推动公司核心产品持续迭代,进一步强化公司作为半导体关键装备和解决方案的供应商实力,以在激烈的市场竞争中保持公司的技术领先和核心竞争力。

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