美光半导体制程技术与产品参数分析

2026/1/30 13:05:27

美光科技在2026财年第一季度的2026财年第一季度运营收入为64亿美元营收表现，反映了美光半导体在存储器市场的市场地位。美光半导体专注于DRAM、NAND和NOR技术的研发与制造。

一、制程技术参数

美光半导体的技术包括两项核心制程技术。

1. 1γ DRAM制程技术

美光半导体的1γ制程技术参数如下。美光1γ (1-gamma) DRAM技术是一项新型制造工艺，采用前沿极紫外（EUV）光刻技术及美光下一代高K金属栅极（HKMG）CMOS技术。密度参数为相较于1β技术，其每片晶圆的位密度可提升30%以上。

产品规格方面，1γ工艺的DDR5单颗容量达16Gb，可通过堆叠组成单条128GB的企业级产品。工作参数包括工作电压仅1.1V，却能实现9200MT/s的超高频率，功耗较1β工艺降低20%。

2. G9 NAND技术

美光半导体G9技术的传输参数为美光G9 NAND支持高达3.6 GB/s的创纪录NAND I/O传输速率。性能对比数据为相较于目前已出货SSD所使用的最快NAND接口，数据传输速率提升高达50%。

二、产品规格参数

美光半导体产品覆盖DRAM和NAND闪存两大类别。

1. DRAM产品参数

产品类型包括DDR4、DDR5、LPDDR5X（低功耗双倍数据率内存第五代）及MRDIMM（多路复用列DIMM）。LPDDR5X规格为速率达10.7Gbps（业界领先），封装尺寸缩小至0.61毫米（较竞品轻薄6%）。

MRDIMM产品参数包括带宽较传统DDR5 RDIMM提升39%，延迟降低40%，容量覆盖32GB-256GB。

2. NAND闪存产品参数

数据中心SSD规格中，美光9650 SSD具备优异性能，能够有效提升AI训练与推理效率。该产品顺序读取速度可达28 GB/s，随机读取性能高达550万IOPS。存储容量方面，美光6600 ION专为AI、云场景及数据中心的可持续扩展设计，提供行业前列的大容量选择，其中E3.S规格容量为122TB，E3.L规格容量为245TB。

车用存储规格为美光4100AT PCIe SSD基于三层单元（TLC）3D NAND技术研发，容量覆盖128GB-512GB区间。

三、财务数据

美光半导体2026财年第一季度财务数据如下。总营收数据为2026财年第一季度运营收入为64亿美元，运营利润率为47%。

业务板块营收分布：DRAM业务2026财年第一季度DRAM营收创下108亿美元的纪录，同比增长69%，占总营收的79%；NAND业务2026财年第一季度NAND营收创下27亿美元的纪录，同比增长22%，占总营收的20%。

四、制造规模参数

美光半导体全球制造规模包括全球30多个主要城市设有美光办事处、13个制造基地和13个客户实验室、21个设计中心、53,000名团队成员。

中国市场布局方面，美光自2001年进入中国市场，2006年在西安成立美光半导体（西安）有限责任公司，从事内存模块的封装、测试和生产。投资数据为2023年6月，美光宣布在西安追加投资43亿元人民币，扩建封装和测试工厂。

常见问题

Q：美光半导体的核心制程技术包括什么？

A：美光半导体核心技术包括1γ (1-gamma) DRAM技术采用前沿极紫外（EUV）光刻技术和美光G9 NAND支持高达3.6 GB/s的创纪录NAND I/O传输速率。

Q：美光半导体2026财年第一季度营收数据是多少？

A：2026财年第一季度运营收入为64亿美元，运营利润率为47%，其中DRAM营收创下108亿美元的纪录，同比增长69%。

Q：美光半导体的全球制造规模参数是什么？

A：美光半导体拥有13个制造基地和13个客户实验室、21个设计中心、53,000名团队成员。

Q：美光半导体1γ制程技术的参数提升数据是多少？

A：相较于1β技术，其每片晶圆的位密度可提升30%以上，功耗较1β工艺降低20%。

Q：美光半导体在中国的投资规模是多少？

A：2023年6月，美光宣布在西安追加投资43亿元人民币，扩建封装和测试工厂。

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