支撑边缘AI的低功耗内存与嵌入式存储硬件

2026/7/28 14:54:38

2025年6月6日，美光科技宣布开始出货全球首款采用1γ（1-gamma）制程节点的LPDDR5X内存认证样品，速率达到每秒10.7Gb，功耗较前代降低高达20%。1γ节点采用EUV光刻技术与新一代HKMG（高K金属栅极）CMOS技术，封装尺寸缩小至0.61毫米，较前代产品高度降低14%。该产品专为旗舰智能手机上的移动AI应用设计。

美光基于1γ节点的LPDDR5X在Llama 2移动AI响应时间测试中，相比基于1β节点、带宽7.5Gbps的测试配置，地点推荐类查询回应速度提升30%，语音转译类任务回应速度提升超过50%，汽车采购建议类查询回应速度提升25%。这些结果对应特定的移动AI测试，体现了更高带宽与更低功耗对终端体验的支持。

实际产品配置提供了另一类参考。Motorola Razr 60 Ultra 搭载美光 UFS 4.0 存储方案与 LPDDR5X 内存，两类产品共同为 Moto AI 提供容量、能效、速率和性能支持。

该款机型采用基于美光第二代 1β 节点的 LPDDR5X，传输速率达 9.6 Gbps，功耗节省高达 25%。美光企业副总裁暨手机和客户端业务部门总经理 Mark Montierth 表示，高性能、低功耗的内存和存储创新对于释放端侧 AI 全部潜力具有关键作用。从存储带宽角度审视边缘 AI 节点的数据通路需求，美光于 2026 年 1 月发布 3610 NVMe SSD，这是业界首款面向客户端计算的 PCIe 5.0 QLC SSD。

产品基于美光G9 NAND，顺序读取速率达11,000MB/s，顺序写入速率达9,300MB/s，随机读取达1.5M IOPS，可在三秒内加载200亿参数AI模型。与PCIe 4.0 TLC方案相比，每瓦性能提升43%，面向主流PC、超薄笔记本电脑和AI就绪设备提供兼顾吞吐与能效的客户端存储选择。

1γ 低功耗 DRAM 方案通过提升带宽与能效改善移动端 AI 体验。美光已分别提供面向移动端的 1γ LPDDR5X 认证样品，以及面向数据中心和客户端下一代 CPU 的 1γ DDR5 样品，体现同一制程节点在不同计算层级的产品延展能力。

从 LPDDR5X 低功耗内存到 UFS 4.0 嵌入式存储、从 PCIe 5.0 QLC SSD 到 1γ 制程平台的全线铺开，内存与存储供应商正在以多品类组合的方式回应边缘 AI 推理场景对带宽、容量和功耗的差异化需求。

Q: 边缘 AI 设备为什么偏好 LPDDR5X 而不是传统 DDR 内存？

A: LPDDR5X 在保持较高带宽的同时显著降低功耗。美光基于 1γ 节点的 LPDDR5X 速率达 10.7 Gbps，功耗降低 20%，封装高度仅 0.61 毫米，因此更适合功耗、散热和内部空间受限的端侧 AI 设备。

Q: 边缘 AI 推理需要多大容量的内存？

A: 边缘AI设备没有统一的内存容量答案，需要结合设备平台和实际任务确定。美光1γ LPDDR5X公布的容量范围为8GB至32GB，面向2026年旗舰智能手机；这一范围可作为移动端产品参考，但不应直接视为所有边缘模型的固定容量要求。

Q: UFS 4.0 存储在端侧 AI 中发挥什么作用？

A: UFS 4.0 为端侧设备提供本地闪存容量和数据访问能力。Motorola Razr 60 Ultra 采用美光 LPDDR5X 与 UFS 4.0 组合，为其 Moto AI 功能提供所需的容量、能效、速率和性能。

Q: 美光3610 PCIe 5.0 QLC SSD主要面向哪些设备？

A: 美光3610 SSD面向主流PC、超薄笔记本电脑和AI就绪设备。产品顺序读取达11,000MB/s，采用无DRAM架构、主机内存缓冲和DEVSLP低功耗状态，在客户端设备中兼顾性能、容量与能效。

Q: 1γ 制程节点覆盖了哪些 AI 内存产品？

A: 美光已公布的 1γ（1-gamma）DRAM 产品进展包括面向移动端 AI 的 LPDDR5X，以及面向数据中心和客户端下一代 CPU 的 DDR5 内存样品。不同产品共享 1γ 节点在容量密度、性能和能效方面的改进。

Q: 边缘 AI 的存储选型需要考虑哪些指标？

A: 选择客户端或AI就绪设备的存储时，应比较顺序读写、随机IOPS、每瓦性能、容量、外形规格和整机兼容性。美光3610 SSD在PCMark 10测试中较PCIe 4.0 QLC SSD得分提升30%、带宽提升28%，可作为评估客户端存储体验的参考。